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联系我们 三星电子谋划2025至2026年推出LP Wide I/O堆叠出动内存，位宽达512bit
发布日期：2024-07-22 07:37 点击次数：112
更大的位宽讲明三星电子的LP Wide I/O内存可提供远胜于现存出动内存居品的内存带宽。
IT之家 7 月 17 日音讯联系我们，据三星电子 2024 年异构集成道路图，该企业正积极研发一款名为 LP Wide I/O 的新式出动内存。
值得刺见地是，三星电子以往曾提到过一种称呼与其临近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不可阐发两者联系。
LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度竣事时刻就绪，2025 下半年至 2026 年中竣事量产就绪。
道路图涌现，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现存 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。
算作对比，当今的 LPDDR5 内存大大王人是单封装四通谈共 64bit，将来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。
更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现存出动内存居品的内存带宽，温存竖立端 AI 利用等场景的需求。
在相对较小的出动内存芯片上竣事 512bit 位宽，例必需要堆叠 DRAM 芯片，联系我们但 HBM 接纳的 TSV 硅通孔神志也不妥当出动内存各层 DRAM 间的互联。
因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上接纳一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联时刻。
小程序开发同 SK 海力士的 VFO 时刻相通，三星电子的 VCS 时刻亦然将扇出封装和垂纵贯谈积存在沿途。
三星电子示意，VCS 先进封装时刻相较传统引线键合领有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；
相较 VWB (IT之家注：全称 Vertical Wire Bonding，疑似指代 SK 海力士的 VFO 时刻) 垂直引线键合时刻，三星电子声称其 VCS 时刻的坐蓐恶果是前者 9 倍。
三星电子在图片中还提到，其 LPDDR6 内存也瞻望于 2025~2026 年量产就绪。
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